MOSFET-ის გადართვის დანაკარგის კალკულატორი

ამ კალკულატორის შესახებ

MOSFET მყისიერად არ ირთვება და არ გამოირთვება — მოკლე ჩართვისა და გამორთვის გადასვლის დროს (t_on, t_off) ის ერთდროულად მნიშვნელოვან დენს ატარებს და მნიშვნელოვან ძაბვას ვარდნის სახით ინარჩუნებს, რის გამოც ენერგია სითბოდ იფანტება. გადართვის სიმძლავრის დანაკარგი მიახლოებით გამოითვლება ფორმულით P = 0.5 · Vds · Id · (t_on + t_off) · fsw, სადაც Vds და Id დაბლოკილი ძაბვა და გატარებული დენია, fsw კი გადართვის სიხშირე — ანუ დანაკარგი წრფივად იზრდება იმის მიხედვით, რამდენად სწრაფად რთავთ მოწყობილობას.

სიმძლავრის ელექტრონიკის ინჟინრები ამას ითვლიან გადამრთველი რეჟიმის კვების წყაროების, ძრავის დრაივერებისა და DC-DC გარდამქმნელების დაპროექტებისას, რადგან გადართვის დანაკარგი (გამტარობის დანაკარგთან ერთად) განსაზღვრავს, რამდენი რადიატორი სჭირდება MOSFET-ს და პრაქტიკულ ზღვარს აწესებს გადართვის სიხშირეზე, სანამ ეფექტიანობისა და თერმული ზღვრები გადაჭარბებული იქნება.