MOSFET 开关损耗计算器

输入电压、电流、开关时间和频率以获得开关损耗。

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关于此计算器

MOSFET 并不是瞬间导通或关断的——在短暂的开通和关断过渡时间(t_on、t_off)内,它同时承载着较大的电流并承受着较大的电压降,能量以热的形式耗散。开关功率损耗近似为 P = 0.5 · Vds · Id · (t_on + t_off) · fsw,其中 Vds 和 Id 是阻断电压和导通电流,fsw 是开关频率——这意味着损耗与器件的开关速度成线性比例。

电力电子工程师在设计开关电源、电机驱动器和 DC-DC 变换器时会计算这一损耗,因为开关损耗(连同导通损耗)决定了 MOSFET 需要多大的散热,并为开关频率设定了一个实际上限,超过它就会突破效率和热的限制。

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